Des mémoires flash de 43 nm
Toshiba lancerait l?opération en 2008 Toshiba lancera la fabrication de puces mémoire de type flash dotées de circuits imprimés de 43 nanomètres d?ici la fin de son exercice en mars 2008, selon le quotidien économique Nikkei. Toshiba lancera la fabrication de puces mémoire de type flash dotées de circuits imprimés de 43 nanomètres d?ici la fin de son exercice en mars 2008, selon le quotidien économique Nikkei. Les prix du marché des puces mémoires NAND étant attendus en baisse de 50% d?ici à fin mars 2008, le Japonais, n°2 mondial du secteur, espère réduire ses coûts de 40%, une fourchette équivalente au nombre de puces supplémentaires produites sur une même galette de silicium grâce au passage de l?actuelle technologie 56nm à celle de 43nm, indique le journal. Les puces du Japonais devraient être fabriquées dans son usine de la préfecture de Mie, au sud-ouest de Tokyo, qui devrait ouvrir dans l?année, toujours selon le Nikkei. Personne chez Toshiba n?était disponible pour commenter l?information. Les mémoires NAND sont largement utilisées dans les appareils photo numériques, les téléphones appareils photo, les baladeurs, et devraient à terme devenir une alternative viable aux disques durs d?orienteurs. La finesse accrue des circuits imprimés permet de diminuer la taille des puces en même temps que leur consommation d?énergie, tout en augmentant la rapidité de traitement des informations. Les coûts de production par puce s?en trouvent mécaniquement diminués. Le numéro mondial des puces NAND, le Sud-Coréen Samsung Electronics, prévoit de lancer la production de puces à 50 nanomètres dans l?année, précise le Nikkei.aa
Posté Le : 23/04/2007
Posté par : sofiane
Ecrit par : R. M.
Source : www.elwatan.com